前文导读：

计算机组成原理第一章

计算机组成原理第三章

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一、概述：

存储器是计算机系统中的记忆设备，用来存放程序和数据。随着计算机的发展，存储器在系统中的低位越来越重要。

（1）存储器的分类

按存储介质分类

半导体存储器：TTL、MOS

磁表面存储器：磁盘、磁带、磁鼓

磁芯存储器：硬磁材料的环状元件

光盘存储器：激光、磁光

按数据保存方式分类

随机存储器RAM：易失性；包含静态随机存储器、动态随机存储器

只读存储器ROM：非易失性；掩膜型只读存储器（ROM）、可编程只读存储器（PROM）、可擦除可编程只读存储器（EPROM）、电可擦除可编程只读存储器（EEPROM）、闪速存储器（Flash Memory）

按数据存取方式分类

直接访问：内存，访问时间不随访问位置而变化

串行访问：磁带，访问时间随访问位置而变化

部分串行访问：磁盘（寻道直接，等待串行）介于上述二者之间

按在计算机中的作用

主存储器、辅助存储器、高速缓冲存储器

速度：由上到下，由高到低

价格：由上到下，由高到低

容量：由上到下，由低到高

存储器分类总结

（2）存储器的层次结构

?缓冲——主存层次

主要解决CPU和主存速度不匹配问题，由于缓冲速度较快，将CPU近期要用的信息调入缓存，? ? ? ? CPU可以直接从缓存中获取信息。主存和缓存之间的数据调动是硬件自动完成的，对程序员是透明的。

主存——辅存层次

主要解决存储系统的容量问题，辅存容量大可以存放主存暂时不用的信息。主存和辅存之间的数据调动是由硬件和操作系统共同完成的。

二、主存储器

（1）主存和CPU的联系

（2） 数据存储模式：大端和小端

?

（3）主存的技术指标

主存的主要技术指标是存储容量和存储速度。?

存储容量：存储容量是指能存放二进制代码的总位数。

存储容量=存储单元个数×存储字长

目前计算机存储容量大多以字节数来表示，例如：某机主存的存储容量为256MB，则按字节寻址的地址线位数应对应28位。

存储速度：存储速度是由存取时间和存取周期来表示的。

存取时间又称为存储器的访问时间，是指启动一次存储器操作到完成该操作所需的全部时间。

存取周期进行连续两次独立的存储器操作所需的最小间隔时间，通常·存取周期大于存取时间。

存储器带宽：单位时间内存储器存取的信息量。单位：字节/秒，字/秒，位/秒

例如：存取周期是500ns，每个存取周期可访问16位，则带宽是32M位/秒

（4）半导体存储芯片简介

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?由于半导体存储器是由许多芯片组成的，为此需用片选信号来确定哪个芯片被选中。例如：一个64K×8位的存储器可由32片16K×1位的存储芯片组成。????????

半导体译码驱动：（线选法和重合法）?

线选法：

一根字选择线直接选中一个存储单元的各位。这种结构方式简单，但只适合容量小的存储芯片。

?重合法：

需要X,Y两个方向各32根选择线，构成一个32×32的矩阵。当地址线全为0，译码输出X0和Y0有效，矩阵中第0行，第0列被选中。

（5）随机存取存储器RAM

静态随机存储器 ：SRAM

动态随机存储器：DRAM

动态RAM的刷新：

动态RAM是利用电容存储电荷的方式来保存信息的，电容很小，很容易漏电，容易造成信息丢失，所以要对动态RAM进行刷新

集中刷新（存取周期为0.5us）：

死区：0.5us×128=64us

“死时间率”：128/4000×100%=3.2%

?分散刷新（存取周期为1us）

异步刷新（存取周期为0.5us）：?

静态RAM和动态RAM的比较：?

（6）只读存储器ROM

掩膜ROM（MROM）

行列选择线交叉处有MOS管为“1”，无MOS管为“0”.

PROM（一次性编程）

EPROM（多次编程）

Flash Memory（闪速型存储器）?

?它是在EPROM和EEPROM工艺基础上产生的一种新型的、具有性能价格比更好、可靠性更高的可擦写非易失性存储器。

（7）存储器与CPU的连接

由于单片存储芯片的容量总是有限的，很难满足实际的需求。因此，必须将若干存储芯片连在一起才能组成足够容量的存储器，称为存储容量的扩展。

通常有位扩展和字扩展。

位扩展：位扩展是增加存储字长，例如2片1K×4位的芯片可以组成1K×8位的存储器。

地址线为10根，数据线为8根

?字扩展：字扩展是增加存储器字的数量，例如用2片1K×8位的存储芯片可组成1个2K×8位的存储器，即存储字增加了一倍。

字、位扩展： 既增加存储字长又增加存储字的数量。例如用8片1K×4位组成4K×8位。

存储器与CPU连接步骤：

1.芯片选型2.地址线3.数据线4.读写命令线5.片选6.其他实际问题：时序、负载......

例题：

例4.1 设CPU有16根地址线、8根数据线，并用作为访存控制信号（低电平有效），用?作为读/写控制信号（高电平为读、低电平为写）。

现有下列存储芯片：1K×4位RAM、 4K×8位RAM、 8K×8位RAM、 2K×8位ROM、 4K×8位ROM、 8K×8位ROM及74138译码器和各种门电路，如图4.36所示。画出CPU与存储器的连接图，要求如下：

① 主存地址空间分配： 6000H~67FFH 为系统程序区； 6800H~6BFFH 为用户程序区。cs