享受超过两年繁花似锦好日子的DRAM存储产业，今年下半年起明显疲态百出，原本各界担心国内砸大钱盖厂、研发，大举挥军进入存储领域的动作，恐埋下产业长期供过于求的隐忧，如今还不用等国内存储芯片量产，各应用的DRAM价格已逐一崩跌，尤其这几年由云服务器带动的庞大DRAM需求转弱，恐带给该产业致命一击。
DRAM产业长达两年的荣景，远因是上游供应商的整合，让产业秩序健康化，近因则是应用端结构的质变。
早期计算机应用占了整个DRAM产业高达90%份额，观察DRAM价格的变化只要看计算机卖得好不好的，就几乎能掌握全貌，然PC时代的结束，迎面而来是手机盛世到来，全球DRAM产业风貌也骤变。
智能手机、云服务器崛起，DRAM应用多元化让产业发展更健康
智能手机的崛起，逐渐取代PC成为DRAM产业的主流，加上消费性电子成为该产业的利基型应用领域，这时候要掌握DRAM供需，以及价格走势的难度都明显大增。
前几年更有云服务器需求崛起，大量消耗DRAM产出，可以观察到，DRAM的应用是十分多元化的。无论是供应商的整合，或是终端应用多元化，都让DRAM产业结构更为健康。
这一波超过两年的DRAM涨价潮，云服务器DRAM需求涌现的带动是功不可没的推手，包括Facebook、Google、亚马逊(Amazon)、腾讯、阿里巴巴等不断扩充网路存储系统，对于云存储、云计算的需求提升，都带动服务器DRAM需求起飞，更是吃掉多数的DRAM产能。
不过，今年下半年来自这些领域的需求动能开始明显趋缓。
之前为了因应需求涌入，上游国际存储大厂陆续增加服务器DRAM的产出比重，然下半年起，需求端却陆续有杂音出现，包括之前DRAM供给吃紧之际，部分客户为了保障拿货无虑，出现重复下单（Overbooking）的迹象，在这几个因素加乘影响，服务器DRAM价格后势确实不容乐观。
第四季各类DRAM需求明显转弱，现货价低于合约价出现“死亡交叉”
根据市调机构TrendForce指出，韩系大厂在第四季纷纷调降服务器DRAM的报价，估计第四季跌价达5％。这也是服务器DRAM涨价多时以来，第一次有明显的转弱讯号出现，由于云服务器在这一波DRAM涨价潮中占有举足轻重的地位，其需求转弱，预计整个DRAM产业将在此形成反转向下的拐点。
综合手机用MobileRAM、计算机PCDRAM、消费型电子ConsumerDRAM，一直到云服务器应用的ServerDRAM价格都逐一转为疲弱。TrendForce统计，第四季整体DRAM合约价扩大下跌至5%。
业内人士分析，现货市场价格从年初开始下跌，今年6月底正式低于合约价，目前现货价格已经低于合约价约10%，这种情况通常被称为“死亡交叉”，对于产业供需走势是不好的征兆，显示未来合约价会再被现货价逼着往下调。
不过，若是回顾年初的DRAM产业气氛，当时仍是一片晴空万里。韩系存储大厂三星、SK海力士第一季仍是持续调涨标准型、服务器、消费型和行动式等DRAM价格，当时整个市场供不应求的气氛并未获得纾解，当中，又以服务器DRAM缺货最严重。
因为来自全球各地的云服务、云计算需求涌现，且服务器DRAM的规格高阶，价格也较好，估计服务器DRAM报价相较于智能手机用的行动式DRAM高出20%，因此，有能力的存储制造商在产能的调配上，会逐渐转到服务器DRAM产品上。
英特尔处理器缺货，PC和服务器陆续受影响，将冲击存储价格加大跌幅
下半年存储价格转弱的另一个原因，是英特尔新平台WhiskeyLake缺货，影响计算机业者的出货，更进一步影响到整个存储产业的需求，冲击存储DRAM和NANDFlash的价格。
英特尔的处理器出现供货不足，不仅是改良版的14nm++，包括已量产半年多的14nm+的CoffeeLake产品线也同样是供给吃紧，因此对于整个计算机产业的出货造成冲击，预计明年才会纾解。
（来源：Intel官网）
根据TrendForce对于PCDRAM第四季价格跌价的预估，原本幅度约2%，但受到英特尔供货不足影响，PCDRAM的消耗量恐进一步缩减，PCDRAM第四季价格跌幅将扩大。而同样受到影响的还有NANDFlash芯片的价格。
在服务器产业也是一样，笼罩在英特尔处理器缺货的阴影下，若是PC和服务器的处理器芯片双双缺货，对存储价格是雪上加霜。
英特尔下半年原本是服务器新旧平台转换期，其Xeon可扩充系列处理器是基于Skylake-SP架构设计，以此推出的Purley服务器平台被业界视为是英特尔近十年来最重要的产品线，将取代Grantley平台，专门为资料中心与网路基础架构所量身设计。
业界原本预期，今年下半正值英特尔服务器平台从Grantley转到新平台Purley，眼看新旧平台换机潮就要启动，却传出英特尔产能不足的消息，未来这一波缺货潮是否也会扩大蔓延到服务器领域，影响到整个服务器产业的出货状况，也令人担心。
未来一年，是国内自制存储芯片问世的重要期
DRAM和NANDFlash芯片荣景已经超过两年，去年下半NANDFlash芯片因为3DNAND良率提升，开始导入大量生产，导致价格率先疲软，累积至今已经下跌一年了，接棒是DRAM价格的走弱，都是反映半导体景气周期的变动。
这一年来，不单是全球存储价格的走弱，还有另一桩大事，就是国内自制存储芯片要开始进入验收期，明年有机会小幅量产。原本各界担心，国内存储芯片的量产，恐抑制全球DRAM价格，尤其12吋晶圆厂是遍地开花，潜在产能不是小数目。
全球存储价格反转向下之际，正值国内三大存储阵营要开始试产，包括生产DRAM的福晋建华、合肥长鑫，以及生产3DNAND芯片的长江存储，这不但考验存储产业中长期的供需平衡、价格走势，更考验这三大阵营未来的营运走势。
（来源：长江存储官网）
对比过往全球DRAM供应商还是6~8家时，供给十分混乱，各家都相争扩产，加上应用又过于集中于PC单一产业，没有其他应用可以分担产业淡季的冲击，导致DRAM价格密集的波动剧烈。
但现在的供应商已经整合为三家，大家都节制扩产，因此整个产业板块已相对稳健，这种2~3年才出现一次的价格反转周期，其实反映着产业健康的轮动，是自然现象。
